티에스이131290티에스이 (131290) NAND에서 DRAM·HBM으로
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투자 스토리
NAND에서 DRAM·HBM으로 — 프로브카드 TAM 3배 확장이 만드는 구조적 성장 스토리
티에스이는 반도체 테스트용 프로브카드, 인터페이스 보드, 테스트 소켓을 제조하는 전문 기업이다. 기존 NAND 프로브카드 중심에서 고부가 DRAM·HBM 프로브카드로 제품 포트폴리오를 확장하면서 실적 인플렉션이 가시화되고 있다. 2024년 매출 3,481억, 영업이익 399억을 기록했으며, 2026년에는 매출 5,078억(+21%), 영업이익 835억(+74%)으로 사상 최대 실적이 전망된다.
핵심 투자 논거는 세 가지이다. 첫째, HBM4 프로브카드를 국내 대형 반도체 기업(삼성전자)에 1Q26부터 공급을 시작하면서 DRAM 프로브카드의 고객선이 중국→한국→미국으로 빠르게 확대되고 있다. 둘째, DRAM 프로브카드는 NAND 대비 ASP가 2~3배 높아 매출·수익성 동시 개선이 예상된다. 셋째, HBM 테스트 복잡도 증가에 따라 프로브카드 수요가 구조적으로 증가하며, GTC 2026에서 확인된 AI 가속기 슈퍼사이클이 이를 가속시킨다.
다만 피어 대비 PER 30.0x는 합리적 수준이나, 2025E PER 36.3x에서 2026E PER 18.9x로 급감하는 것은 2026년 실적 달성에 대한 강한 전제가 필요하다. DRAM 프로브카드 수주 지연이나 HBM 테스트 표준 변경은 하방 리스크 요인이다.
1. 투자 요약
한줄 요약: DRAM/HBM 프로브카드 진출로 TAM이 3배 확장되는 인플렉션 초기 기업, 2026E PER 18.9x로 반도체 장비 피어 대비 현저한 저평가
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 투자의견 | Buy |
| 현재가 | 114,500원 (2026-03-18 기준) |
| 목표주가 | 135,000원 (컨센서스 기반) |
| 상승여력 | +17.9% |
| 증권사 컨센서스 | Buy 2건 (2개사), 평균 TP 135,000원 (130K~140K) |
2. 기업 개요
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 기업명 / 종목코드 / 거래소 | 티에스이 / 131290 / KRX (KOSDAQ) |
| 시가총액 / 종가 | 12,665억원 / 114,500원 |
| PER / PBR / P/S | 30.0x / 3.64x / 3.65x |
| ROE(2024) / 부채비율(2024) | 13.36% / 29.95% |
| 매출(2024) / 영업이익률(2024) | 3,481억원 / 11.46% |
| 발행주식수 / 최대주주 | 1,106만주 |
컨센서스 추정치:
| 항목 | 2024A | 2025E | 2026E |
|---|---|---|---|
| 매출(억원) | 3,481 | 4,205 | 5,078 |
| 영업이익(억원) | 399 | 480 | 835 |
| OPM | 11.5% | 11.4% | 16.4% |
| PER(배) | 30.0x | 36.3x | 18.9x |
3. 사업부문 분석
| 부문 | 매출 비중 | 주요 제품/서비스 |
|---|---|---|
| 프로브카드 | ~60% | NAND·DRAM·HBM 테스트용 프로브카드 |
| 인터페이스 보드 | ~25% | 반도체 테스트 인터페이스 |
| 테스트 소켓 | ~15% | IC 테스트 소켓 |
3-1. 프로브카드
핵심 성장 부문. 기존 NAND 중심에서 2024년 중국 고객 DRAM 프로브카드 진입을 시작으로, 1Q26 삼성전자향 HBM4 프로브카드 공급이 개시되었다. DRAM 프로브카드는 NAND 대비 ASP 2~3배 높으며, HBM은 테스트 복잡도가 일반 DRAM보다 수배 높아 프로브카드 단가가 더 높다. 메모리 3사(삼성, SK, 마이크론)로 고객 확대가 핵심 모니터링 포인트이다.
3-2. 인터페이스 보드 & 테스트 소켓
반도체 테스트 공정에서 프로브카드와 함께 사용되는 보완재. 안정적 매출을 제공하며, 프로브카드 고객 확대 시 동반 수주가 기대된다.
4. 기술력 & 경쟁 해자
진입장벽
| 장벽 | 수준 | 설명 |
|---|---|---|
| 기술 인증 | 높음 | 반도체사별 Qualified Vendor, 인증에 1~2년 소요 |
| MEMS 기술 | 높음 | 초미세 프로브 제조 기술로 피치 축소 대응 가능 |
| 고객 전환비용 | 중간 | 프로브카드는 테스트 장비와 세트로 운용, 교체 시 재검증 필요 |
글로벌 경쟁 포지션
글로벌 프로브카드 시장은 FormFactor(미국), Technoprobe(이탈리아), MPI(대만) 등이 주도하며, 티에스이는 NAND 분야에서 강점을 보유하고 DRAM/HBM으로 확장 중이다. 메모리 3사 모두에 프로브카드를 납품할 수 있는 국내 유일한 기업으로 평가된다.
시장 테마 & 매크로 맥락
HBM4 양산 본격화와 AI 가속기 슈퍼사이클은 메모리 테스트 공정의 복잡도와 물량을 동시에 증가시킨다. 프로브카드는 테스트 횟수에 비례하여 소모되는 소모품 성격으로, 팹 가동률 상승의 직접적 수혜를 받는다.
5. 피어 그룹 & 상대가치
| 종목명 | PER | PBR | P/S | OPM |
|---|---|---|---|---|
| ISC | 81.8x | 8.27x | 25.6x | 25.7% |
| 리노공업 | 74.0x | 13.41x | 30.1x | 44.6% |
| 이오테크닉스 | 113.4x | 7.93x | 15.4x | 9.7% |
| 피어 median | 81.8x | 8.27x | 25.6x | 25.7% |
| 티에스이 | 30.0x | 3.64x | 3.7x | 11.5% |
티에스이는 피어 median PER(81.8x)의 37% 수준에 불과하다. OPM(11.5%)이 피어 대비 낮은 것이 디스카운트 요인이나, 2026E OPM 16.4%로의 급개선이 예상되며 DRAM 프로브카드 ASP 상승이 추가적인 수익성 레버리지를 제공한다.
6. 밸류에이션
방법론: PER (2026E EPS 기반)
| 항목 | 산출 근거 | 금액 |
|---|---|---|
| 2026E EPS | FnGuide 컨센서스 기준 | ~6,060원 |
| Target PER | 피어 median 81.8x × 30% 할인 (DRAM 진출 초기) | 22x |
| 산출 TP | 6,060 × 22 | 133,320원 |
| 목표주가 | 컨센서스 평균과 수렴 | 135,000원 |
크로스체크: 신한투자증권 140,000원, LS증권 130,000원. 당사 135,000원은 컨센서스 중간.
7. 시나리오 분석
| 시나리오 | 확률 | 주요 가정 | 목표주가 | 상승여력 |
|---|---|---|---|---|
| Bull | 35% | DRAM 프로브카드 메모리 3사 확보 + HBM4 물량 급증 → PER 30x | 182,000원 | +59.0% |
| Base | 45% | 컨센서스 수준 실적 달성 → PER 22x | 135,000원 | +17.9% |
| Bear | 20% | DRAM 고객 확대 지연 + NAND 수요 둔화 → PER 15x | 91,000원 | -20.5% |
확률 가중 기대가치: 182,000 × 35% + 135,000 × 45% + 91,000 × 20% = 142,650원 (+24.6%)
인플렉션 초기 기업으로 Bull 확률을 35%로 상향 배정했다. DRAM 프로브카드 진출이 성공적으로 확산되면 피어 수준 PER 리레이팅이 기대된다.
8. 지배구조 & 리스크
주요 리스크:
- DRAM 고객 확대 불확실성: 삼성전자 외 SK하이닉스·마이크론 수주 시점 미확정
- OPM 개선 속도: DRAM 프로브카드 초기 수율에 따라 수익성 개선 지연 가능
- 환율 리스크: 수출 비중 상당, 원화 강세 시 마진 압박
9. 촉매 & 리스크
상방 촉매:
- [ ] SK하이닉스/마이크론향 DRAM 프로브카드 수주 확정
- [ ] HBM4 테스트 물량 증가에 따른 프로브카드 ASP 상승
- [ ] 2026E 실적 서프라이즈 (OPM 17%+)
하방 리스크:
- [ ] DRAM 프로브카드 기술 인증 지연
- [ ] 글로벌 메모리 투자 사이클 둔화
- [ ] FormFactor 등 글로벌 경쟁사의 가격 대응
면책: 본 분석은 공개 정보 기반 참고 자료이며 투자 권유가 아닙니다.